賽晶IGBT芯片、模塊開始量產及接受訂貨

自2020年9月發布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模塊等產品以來，在過去的一年里，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”）本著精益求精的科技工匠精神，進行了全面的產品測試和優化，以及生產線建設和試產。

在這里，賽晶光電器件是非常開心的公布：1200V/250A i20 IGBT基帶集成ic及d20FRD基帶集成ic，1200V/750A及600A ED-Type IGBT電源模塊等好產品取得勝利做完試產，已有了批量化備貨業務能力，并正式開啟開啟確認的客戶備貨。

擊碎“缺芯”窘境，結對共建日本產IGBT惡性未來發展產業生態圈圈

IGBT，用于瓦數半導的意味著，被叫做小國重器，對電動伸縮轎車、新生物質能供用電等全球重大新型文化產業群趨勢和達到“雙碳”對象，有注重的戰略布局重要性。只不過，中國國家人有雖說是全球各地最大程度的IGBT進行消費國，賣場卻太久為海外各個機構所為主。獨特是電子器件領域行業，全球自給率太低。在中國國家人與美國國際貿易善變的原型下，加大國內生產的化進度，有利于促進中國國家人有加入IGBT文化產業群強國夢，是任一業界中國國家人有各個機構的擔責和神圣職責。

賽晶半導體材料，祝愿順利通過精湛的德國進口a處理單片機電源芯片商品和更好地營銷處理單片機電源芯片的工作方案，毀掉國為嚴重依耐入口處理單片機電源芯片的“缺芯”瓶頸，與廣闊在業內中小型企業結對共建德國進口aIGBT原發癌不斷發展生態經濟圈，四輪驅動國IGBT產業發展輝煌。

i20 IGBT電子器件和d20 FRD電子器件

i20 IGBT和d20 FRD心片，電阻值/感應電流為1200V/250A，幾項使用性能以達到或小于了世界領軍計劃工業企業的同一種服務。

i20 IGBT電子器件，采取FS-Trench構造，即前面精細化基槽+后邊場截止到，并使用N型開展、窄櫥柜臺面、短溝道、超簿底材、系統優化網絡P+、3D構造等多選題系統優化網絡結構設計，進而帶動了達到250A的優質成績。

d20 FRD處理電子器件，與i20 IGBT處理電子器件同時研發團隊，進而抓好了FRD與IGBT的精致合作，已經處理電子器件組的優異綜合特點。雖然，大家進行先進的的發射衛星成功極速率維護、優化網絡提升的陽極發展等值線和陰離子緩沖器區、優化網絡提升的N-底材尺寸與發射衛星成功極和載流子蓄電量，已經有點制作的下載鏈接末端，達成了較低的FRD材料耗費，也大幅度降低了IGBT的通導材料耗費。

在美國制造業客戶枝術前沿并主要市場中上的IGBT處理器范圍，賽晶半導體設備器件是大多數全不用于自留處理器實現控制模塊裝封的境內的制造業客戶，不僅如今極大多數透明化非貿易銷售量自由枝術IGBT處理器的境內的制造業客戶。要敢不畏市場中上的檢驗檢測，這積極主動彰顯了賽晶半導體設備器件對產品設備匠心品控的極度上進心。

ED-Type IGBT包塊

ED-Type模塊，采用標準的“EconoDual”封裝設計，使用賽晶半導體i20和d20芯片組，推出了1200V/750A和1200V600A兩個型號產品。

ED-Type模塊采用了“直線型”優化設計，大幅提升了均流表現，并在降低損耗的同時，提高了可靠性表現。

取決于非凡的i20和d20處理芯片組、出彩的升級優化制定和的工藝面、從緊的鋼筋取樣料挑選和廠家直銷鏈治理、久負盛名的智慧自然化制造出出產線，ED-Type板塊與國際域企業公司的相似物品做對比中，具體表現出了更加的比較好的綜合性特點。

一往無前，賽晶半導體將再接再厲，加快開展1700V以及750V的精密溝槽和微溝槽IGBT芯片、碳化硅芯片，以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模塊的產品研發和生產線建設，為廣大客戶奉獻更多、更好的國產IGBT精品，助力中國“強芯夢”的早日實現。