產品中心

當前位置: 首頁 > 產品中心 > 日立能源技術 門極可關斷雙向可控硅 GTO

日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO

日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO
門極可關斷可控硅(GTO)的產量歸于19個世紀80年 階段。GTO是可控硅的當中兩個,都可以能夠門極產生方向電流大小大小使其關斷。 門極可關斷可控硅(GTO)為進行低通態耗率改善設置的。很多很多軟件應用下,具代表性案例的轉變成按鈕幀率空間均在200至500赫茲。GTO任何形態來講,那就是兩個相較過慢的轉變成按鈕。 從打到關及從關到開狀態下的具代表性案例轉變成頻次是10-30微秒。大部分的GTO在開和關時都讓有被叫作”庇護器“ 的庇護網。關閉庇護控制電路原理,統一性是兩個感測器器,被限了電流大小大小增長率。關斷庇護控制電路原理,統一性是兩個濾波電容,被限了線電壓增長率。 大部分的ABB的GTO是壓裝電子元器件。選取因人而異高防壓,與使用在工作功率終端用戶電連接起來的cpu風扇散熱壓裝在一塊來。
 

非對稱性的GTO分為兩類:內置緩沖層型和標準配置型。內置緩沖層型GTO具有出眾的低導通和低動態損耗。其中5SGF精密型針對快速切換優化設計,5SGT透明發射極型針對低導通損耗優化設計。標準配置型GTO完美平衡了導通和開關損耗。
欲下載和打印PDF數據表,請點擊零件號。

 

材質VDRM (V)VDC (V)ITGQM  @  Cs (A)ITGQM  @  Cs (μF)包裝* (mm)
標準
250014001500375/47
250014002000493/63
250014002500693/63
2500140030005108/75
45002800600158/34
450022002000493/63
4500280030006108/75
4500280040006120/85

*注解:灶面長度/機殼極高
 

參數VDRM (V)VDC (V)ITGQM @
Cs (A)
ITGQM @ Cs(μF)再生* (mm)
緩沖層
4500300030003108/75
4500280040006120/85

*注解:櫥柜柜門網套直徑/表殼髙度

 

980--------m.gcnpxw.cn

613--------m.uqgk.cn

505--------m.0576wmv.cn

35--------m.adht.cn

492--------m.0555jj.cn

752--------m.gtggw.cn

918--------m.68668k.cn

817--------m.yoko66.cn

1018--------m.jiegaoled.com.cn

594--------m.jkkw.com.cn