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ED封裝IGBT模塊
ED封裝IGBT模塊
1200V和1700V ED封口方案進行賽晶自研IGBT和電子元器件大家庭中的一員-二極管處理芯片組,減小衰減,并不斷提高1200V方案額定的功率相當于2X750A。進行市場中主流的封口并進行為先進的封口加工制作工藝 和高品質的封口村料,以保證質量方案高是真的嗎性和長蓄電量等特點。